SK海力士在美项目得到美商务部支持 4.5亿补助金助力先进芯片研发
美国商务部在8月6日发布的一则公告中宣布，SK海力士将获得高达4.5亿美元的补助金，以支持其在美国印第安纳州西拉斐特建设的先进封装工厂及人工智能研发设施。这家全球第二大的存储芯片制造商早前透露，计划投资大约38.7亿美元在当地建造工厂，旨在生产下一代高带宽存储芯片（HBM），这类芯片对于训练人工智能系统中的图形处理单元至关重要。
SK海力士的HBM3E芯片作为首个通过英伟达认证测试的HBM产品，彰显了其技术领先地位，也因此成为英伟达的主要芯片供应商。新工厂及研发中心预计将为美国半导体供应链的关键环节增添约1000个就业机会。
除了直接补助，商务部还提议为该项目提供5亿美元的政府贷款，并提及SK海力士考虑申请美国财政部的投资税收减免政策，该政策或覆盖合格资本支出的25%。这一系列财政支持举措紧跟美国国会于去年8月批准的390亿美元半导体制造业补贴计划及750亿美元政府贷款授权方案的脚步。
商务部长吉娜·雷蒙多透露，商务部已与15家企业达成投资意向，涉及资金总额约为300亿美元。值得注意的是，美国已成功吸引台积电、英特尔、三星电子、美光和SK海力士这五大半导体行业巨头的投资承诺，进一步巩固了其在全球半导体产业中的地位。
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